Схемы выводов транзисторов.

 

(В главное меню)

К-6. СХЕМЫ ВЫВОДОВ ТРАНЗИСТОРОВ

В разные годы существовали разные системы обозначения транзисторов, и многие приборы сохранили свое старое название Как правило, оно начинается с букв П или МП, за ними стоит число со следующим значением от 1 до 100 - маломощные германиевые НЧ транзисторы,

от 101 до 200-тоже, кремниевые,

от 201 до 300-мощные германиевые НЧ транзисторы,

от 301 до 400 - тоже, кремниевые,

от 401 до 500 маломощные германиевые ВЧ транзисторы,

от 501 до 600 - тоже, кремниевые,

от 601 до 700 мощные германиевые ВЧ транзисторы

Ну, и в конце еще одна буква разновидность прибора данного типа

В 1964 году появилась система обозначений полупроводниковых приборов, которая в основных чертах существует и поныне Первый элемент обозначения говорит о самом полупроводниковом материале буква Г (цифра 1) означает германий, буква К (цифра 2) - кремний Второй элемент (буква) означает •Д -диод,

Т - транзистор,

В - варикап (полупроводниковый конденсатор, емкость меняется с изменением питающего напряжения),

Ф - фотоприбор,

С - стабилитрон и т д

У транзисторов третий элемент - трехзначное число - указывает группу прибора

101-399 маломощные транзисторы (до 0,3 Вт), в том числе 101-199 низкочастотные (до 3 мГц), 201-299 среднечастотные (до 30
мГц) и 301-399 высокочастотные (до 300 мГц),

401-699-транзисторы средней мощности, в том числе 401-499 низкочастотные, 501- 599 среднечастотные, 601-699
высокочастотные,

701-999-мощные транзисторы (больше 1,5 Вт), в том числе 701-799 низкочастотные, 801-899 - среднечастотные и 901-999 -
высокочастотные

И опять же, как всегда, последняя буква - конкретный прибор среди транзисторов данного типа

Приводим данные некоторых типов транзисторов (в квадратных скобках - схема выводов на К-6), в том числе самых "древних", это, в частности, позволит понять старые промышленные и любительские схемы и, в случае необходимости, перевести их на современную элементную базу

Данные транзисторов, близких по названиям и параметрам, приведены в едином блоке, при этом приняты обозначения U - допустимое напряжение между коллектором и эмиттером в вольтах, I-допустимый коллекторный ток в миллиамперах (там, где ток в амперах, рядом с цифрой стоит буква А), Р - допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе с радиатором и без него в милливаттах (там, где мощность в ваттах, стоит Вт), В - статический коэффициент усиления потоку /о - обратный ток коллектора в микроамперах, частота fs мегагерцах, на которой реальные усилительные свойства транзистора еще остаются достаточно высокими (это неофициальная характеристика, в официальных справочниках приводят граничные частоты по специально оговоренным условиям)

Вначале приводятся данные, характерные для всей данной группы, затем в скобках указаны отклонения от них для отдельных транзисторов Так, например, обозначение U - 20 (А, Б - 30) означает, что для всех приборов данной группы с любыми буквами в конце допускается коллекторное напряжение 20 В, кроме приборов с последними буквами А и Б, для которых допускается 30 В, обозначение В - 10 - 15 (Б Г говорит о том, что у всех приборов данной группы коэффициент усиления по току В лежит в пределах от 10 до 15, кроме при] буквами Б и Г, для которых коэффициент усиления лежит в пределах от 20 до 30

Во многих случаях данные округлены и приводятся с точностью, приемлемой для любительского конструирования Вначале приводятся данные транзисторов р-п-р, а затем п-р-п и, наконец, полевых транзисторов (Т-303)

И еще одно важное примечание названия совершенно одинаковых транзисторов могут начинаться с разных букв - П или МП в этом отражена разница только в их внешнем оформлении, в конструкции корпуса Во всех названиях приборов группы МП - П указана буква П, в тех случаях, когда в основном выпускались приборы типа МП, эти буквы указаны в скобках перед названием транзисторов

  • Германиевые р-п-р транзисторы

  • П4[6] U - 50 (В - 35, Б - 60), I - 5 Л, р - 25/3 Вт (А - 20/2 Вт), В - 15-35 (А-5-20, Д-30-70), /о- 500, f-0,15 Корпус имеет приливы с отверстиями для крепления

    П13. П14, П15, П16 [2] U- 15 (П14А П14Б-30), 1-150, Р- 150 (П16 все-200), В-20-40 (П13-12) П16Б-45-100. f-0.5-1-(П15 П15А.П16Б-2)

    (МП) П20, П21 [3] U-20(П21 все - 35 кроме Г, Д-30), I-300 (П21, П21А-500), Р-150 S-50- 150 (П20Б П21Д - 60- 200), lo- 50, f- 1 1,5

    (МП) П25, П26 [3] U - 40(П26все - 70), I - 400, Р - 200, В - 10-25 (А - 20-50, Б - 30-80), lo - 150, f - 0 2 - 0,5 П27, П28 [3] U-5, I-6, Р - 30, В - 20 - 200, lo-3, f-1 (П28-5)

    (МП)П39, П40, П41,П42[3] U-30 (П40А - 30, П42 все-15), I-150, Р-150 (П42 все-200), В - 20 - 60 (П39-12 П42Б -50-100), lo-15 (П42 все-25), f- 0,5 - 1

    П201, П202, П203 [6] U - 30 (П202, П203-55), 1-1,5 А (П202, П203-2 Л),

    Р-10/1 Вт, В - 20-40, lo - 400, f- 0,1

    П210[5] U - 40(П210А - 65), I-12A, Р - 45/2 (П210, П210А - 60/10), В - 10-15,

    Ю-8-15 мА, f-0,1

    П213, П214, П215[6] U - 45 (П214 все - 60, П215-80), I-5 А, Р-10/1,5 Вт,

    В- 20 -150 (П213Б.П214Б - 20-150, П214А - 50-150, lo - 150 -300 (П213А П214В-1 - 1 5 мА), f-0 15

    П216, П217[6], U - 35(П216Г,Д-50, П217, П217А, Б^15 П217В.Г-60),l-7.5A.

    Р- 24/1,5 Вт, В- 15-40 (П216Б - 10.П216Г - 5.П217А - 20-60), lo- 1,5-2,5 мА (П217 все-0.4 мA/ f-0 1

    П401,П402, П403[8] U- 10,1 - 20 Р- 100, В - 16 - 250, lo - 5, I - 30 (П402 - 60, П403, П403А- 120)

    П414, П415. П416, П420. П421,П422, П423 [9] U- 10 (П416 все- 12), I- 10, Р- 100 (П420 - П423 все - 50), В - 25 - 100 (П420 П421, П422А П423А - 15, все другие А-60- 120,все Б-100-200), lo - 3-5, f-60(П415все П416Б-120 П420, П421-30)

    П601,П602[7] U -25,1-1 А, Р - 3/0,5 Вт, В - 40-100 (АИ - 40-250.П601- 20), lo - 100 - 200, f - 30 Напряжение между эмиттером и базой до 0,5 В

    П605, П606. П607, П608, П609 [7] U-25 (П605 все П608Б, П609Б^40), I - 0 3 А (П605 П606- 1 5 Л), Р- 1,5/0 5 (П605, П606 3/0 5), В - 20-120 (П608А ПбОЭвсе- 80-240), lo-300 (П605 П606 - 2 мА), f-30 (П607-60 П608-90, П609-120) Напряжение между эмиттером и базой не более 0,5 В

    ГТ108 [11] U- 10, I-50, Р-75, В-25- 60 (В-60- 130 Г-110-250), lo-10, f-0,5-1

    ГТ109[12] U-6,1-20, Р-30, В- 30-80 (А-20-60, ЕЖ - 50 -100, В-60- 130 Г-110-250), lo-5, f-1

    ГТ115 [11] U-20, (Б, Г-30), I-30, Р - 50, В- 20-80 (В, Г - 60-150, Д- 125-250), lo-40. f- 1

    ГТ305[1] U- 15, I - 40, Р - 75, В - 25 - 40 (Б - 50-500, В - 40-360), lo - 5, f- 20

    ГТ308[9] U- 12, I - 50, Р- 150, В - 20 - 75 (Б-50-120, В - 80-200), lo - 5, f- 120 (А-90).

    ГТ309[1] U- 10, 1 - 10, Р - 50, В - 20 -70 (Б Г, Е -60-180) lo - 5, f - 60 (Д Е-30 А, Б-90)

    ГТ310[12] U-12,1-10, Р-20, В- 20-70 (Б, Д-60-180). lo-5, f-80 (В- 120 А Б-160)

    ГТ313[13] U- 10, 1 - 10, Р- 100, В - 20-250, lo - 5, f- 450 (Б-650)

    ГТ320[9] (7-9 (Б-11, А-12), I-150, Р - 200, В - 80 - 250 (Б - 50 - 160, А-20-80), lo- 10, f- 120 (Б- 190 В-250)

    ГТ321 [9] U - 40 (А, Б, В - 50), I - 200, Р - 160, В - 20-60(Б,Д - 40-120, В, Е- 80-200), lo-500, f- 1

    ГТ322[14]. U-10 (Б-6), I-5, Р - 50, В - 20-70 (Б, Г Е-50-120), lo- 4, f-25

    ГТ328 [13] U-15, 1-10 Р-50, В - 20 - 200 (В - 10-50), fo-10, f-300 (А-400)

    ГТ346[14] U - 15, 1 - 10, Р - 40, В - 10, lo - 10, f - 550 (А - 700)

    ГТ402[4] U-25 (Ж, И-40). I-500, Р - 600, В - 30 - 80 (Ж И - 60 - 150), lo-25,f-1

    ГТ403[15] U -45 (А Б - 30, Ж, И - 60), 51. I - 1,25 Л, Р - 4/0 65 Вт, В - 20 - 60 (Б Г, Д И - 50 - 150), lo - 50, f - 0,008

    ГТ7О1 [5] U -55, 1-12Л,Р - 50/2Вт, В -10, lo-6, f-0 05

    ГТ703[5] U - 20 (В, Г -30, Д - 40), I -3,5Л, Р- 15/1,5, В - 30-70 (Д - 20-45 Б, Г-50 - 100), lo-500, f-0 01

    ГТ806[5] U-75 (Г-50.Б-100. В -120Д-140).1-15Л.Р -30/2.5 -10-100. 1о-15 mA. f-10

    ГТ905[7] U-75 (Б - 60), I - ЗА, Р - 6/1,2 Вт, В - 35-100, lo - 2 мА, f- 20

  • Германиевые п-р-п транзисторы

  • П8, П9, П10, П11 [2] U- 15(П10-30), I - 20, Р- 150, В - 15-50(П8 П9 - 12 ПЦА-45-Э0),1о-30. f-0 5- 1 (П11 П11А-2) (МП) П35, П36, П37. П38 [3] U-15 (П37А-30), I-20, Р - 150, В - 15 - 45 (П35-10- 125, П38А^15- 100), lo-30, f- 0,5 - 1 (П38А-2). ГТ311 [13] U-12 (И-10), I-50, Р-150, В - 15 -80 (Ж - 50 -200, И -100 -300), lo - 10, f - 400 (И -600) ГТ404[4] U -25 (В Г - 40), I - 0 5 А, Р - 0,6 Вт, В - 30 - 80 (Б Г -60 - 150), lo-25,f-l

  • Кремниевые р-п-р транзисторы

  • (МП)П104, П105, П106, П114, П115, П116[3] U-15 (П105, П115-30, П106 П116- 60), I-10, Р-150, В- 9-45 (П106 П116 - 15 - 100), lo

    - 10(П104,П105,П106- 0,4), f-0,1- 0,5 I

    КТ104(1] U-15 (А, Г-30), I-50, Р - 150, В - 15-80 (А - 9-36, В- 40-160), lo-I, f- 5

    П302. ПЗОЗ, П304, П306 [7] U-60 (П302 - 35, П304, П306А-80), 1-0,5 Л (П306, П306А-0 4 А), Р-10/1 Вт, 5-5-10 (П306 - 7 - 30, П306А-5-50), lo - 100, f- 0,05 (П302 - 200, ПЗОЗ, ПЗОЗА - 100)

    КГ203[14] U-15 (Б-30, А-60), I-10, Р-150, В - 30 - 200 (А-9), lo-l, f-5 КТ305[14] U- 15, I - 40, Р - 75, В - 40 -500 (А - 25- 40), lo - 4; f- 20

    КТ326, КГ337, КТ347, КТ349, КТ350, КТ351, КТ363 [14] U - 15 (НТ347Б - 9, НТ347В - 6), I-30, Р-150, В- 30-400 (НТ326, НТ337 НТ363

    - 20-160), lo-I, f-100 (НТ326 - 400 КТ363А - 1200, НТ363Б - 1500)

    КТ345[23] U - 20, I - 200, 5-20 (Б - 50, В - 70), lo - 1, f- 350

    КТ361 [19] U-35 (А-25, Б -20 В, Д-40). Р - 150, В - 20 - 90 (Б, Г, Е- 50 -350), lo- 1, л-250 КГ814[21] U-25(Б^Ю,В-60 Г-80), I - 1,5 А, Р-10/1 Вт, В-40 (Г- 30), lo - 50, f- 3 КТ816[21] U -25 (Б -45, В -60 Г -80), I - ЗЛ, Р - 25/1 Вт, В-20 (Г- 15), 1о-100,-3 КГ818[25] Г- 25 (Б - 40 В - 60, Г-80), 1-10 А, Р-60/1 5 Вт, В - 15 (В, Г- 12), lo- мА, f- 3

    ЮВ25[25] U - (Г - 90, Е - 30), I - 20A, Р - 160, В - 1500, f- KT837 [21] U-(А-В, Л-Н-80, Г -Е, П - С - 60, Ж, П К Т. Ф-45). I

    .5 А,

    - 7.5 А, Р - 30 Вт, В 40 -150, lo -10

    KT3107[22] U -25 (В Г, Д К -30, А Б, И - 50), I - 100, Р - 250, В - 70 - 140 (Б Г, Е - 120 - 220, Д Ж И - 180 - 460, К, Л - 380 - 800), lo - 0 1. f-200

  • Кремниевые п-р-п транзисторы

  • (МП)ПП1.П112. П113[3] U- 10 (П111. П1ПБ-20),7- 100, Р- 150, В- 10 - 45(П113-45-105),1о-3, f-0 5-1 КТ201 [14] U-10 (А Б - 20), I - 20, Р- 150, В - 20 -90 (Г - 70-210), lo-I, f-10 КТ301 [18] U - 20, 7-10, Р- 150, В - 20 -120 (Б Т- 10-32 Ж -80 - 300), lo-IO, f-ЗО (Г Д, ЕЖ-60) КТ306[7] U- 10, I - 30, Р - 150, В - 20 - 120 (НТ306Г - 40 - 200, НТ316Д - 60-300), lo-0 5, f-100 КТ312[18] U-20 (Б-35), I-30, Р - 225, В- 10-100 (В - 50-280), Гц- 10,f- 20 КТ315[19] U-15 (А-20, Г - 25, В-30), I- 100, Р- 150, В- 20-90 (Б Г Е - 50-350), lo-I, f-100. КГ316[7] U- 10, I - 30, Р- 150, В - 20-120 (А - 20-60.Д - 60-300), fo- 0,5, f-100 КГ325[14] U-15, I-60, В -30 -90 (Б - 70-210 В - 160 - 400). lo - 0 5. f - 100

    КТ339 [20] (I-база, 2 - эмиттер, 3 - коллектор, 4-корпус)] U - 25 (Б-12), l_ 25 Р- 250, В - 15- 25, lo - 1, f -150 (В - 250) КГ342[14] U-10 (Б-25, А - 30, Г-60), I-50, Р - 250, В - 50-150 (А - 100-250, Б - 200-500 В - 400- 1000), lo - 0 5. f - 300 КТ373 [23] U-25 (В - 10, Г - 60), I - 50, Р - 200, В - 50-125 (А - 100-250 Б - 200 - 600 В - 500 - 1000), lo - 0,5, f - 300 КГ503[22] U -25 В Г -40, Д -60 Е - 80, I - 30, Р - 500, В - 40 - 120 (Б Г - 800 - 240), f - 5 КТ602[10] U-80 (А, Б - 120), I - 75, Р-2,8/0 8 Вт, В - 15-80, lo - 70, f- 50 КТ603[10] U-10 (В Г- 15, А, Б - 30),l - 300, Р - 0 5, В - 15- 80 (Е - 60-200), lo-IO (Д Е-1), f-50

    КГ604, КГ605, КГ611 [10] U - 250 (НГГ611-150), I-200, Р - 3/0,8 Вт (НТ605-0,4 BmJ-B -10 - 40 (Б - 20-120), lo - 100, f - 20 (КТ611 60)

    КТ608[10] U -60, I -400, Р - 0 5Вт, В -20 -80(Б -40-160), lo -10, f -50 КТ616, КТ617, КТ618[14] U-20, I-400, Р -0,3 Вт (НТ617-0 5), 5-25-40, lo - 10, f-50 КТ618[14] U - 250, 1-100, Р - 0,5, В - 25-40, lo - 10, f- 10 КГ801 [16] U-60 (А - 80), I - 2 Л. Р-5/0,5 Вт, В - 13- 50 (Б - 20-100), Io-, f-5

    КГ802[17] U- 130, I - 5 Л. Р - 50/4 Вт, В- 15-35, lo - 60 мА, f-5 М~803[17] U - 60, I - 10 Л, Р - 60/4 Вт, В- 10 - 70, lo - 50 мА, f-5 НТ805[17] U-90- I - 5 А, Р - 30/2 Вт, В - 15, lo - 100 мА, f- 5

    КТВ07 [24] [Металлическое основание - коллектор, если смотреть со стороны пластмассового корпуса, направив выводы вниз, то слева база, справа -эмиттер] U- 100,1 -0 5 Л-Р-10/1 Вт, В - 15-45 (Б - 30-100), lo - 15 мА, f- 5

    КГ808[17] U- 120, МОЛ, Р - 50/4 Вт В - 15, lo - ЗхЛ, f- 5 KT809[17f U-400, I - 3 Л. Р-40/ЗВг, В - 15-100, lo - 6 мА, f-5 КТВ15 [211 U-25 (Б^О, В - 60 Г-80), I-1 5Л, Р-10/1 Вт, В-70, lo - 50, f-3 КГ817[21] U - 25 (Б - 45, В - 60, Г - 80), I - 3 Л, Р - 25/1 Вт, В - 20 (Г- 15), lo - 100, f- 3 КГ819[251 U - 25 (Б - 40, В - 60, Г - 80), I - ЮЛ, Р - 60/1,5 Вт, В - 15 (В Г- 12), lo-1 мА, f-3 КТ826[251 U - 700, 1-1 Л, Р- 15, В-10, М.

    КГ827[251 U- 100 (Б -80, В-60), I -20Л, Р- 125, В -6000, f-10 КГ828[251 U - 800 (Б - 600), I - 5 Л, Р - 50 В-4, f-1 КГ832[251 U-1000 (Б - 800), 1-0,1 Л, Р- 10, В - 10, f-2 КГ834[251 U-500 (Б - 450, В - 400), 1-15 Л, Р- 100, В - 500, f- 1 КГ838[251 инп -1500, 1-5Л, Р-12,5, В-3, f-1 КГ840[251 U - 400 (Б - 350), I - 6 Л, Р - 60, В - 30, f-1

    КГ902, КГ903[171 U - 60, I - 5 А (НТ903 - 3 Л), Р-30/2 fir, В - 15 (НТ903А-1 -15-70 Б- 40- 180), lo- 10 мА, f- 5 1 КТ940 [211 (7-160 (А -300, Б -250), I- 50, Р- 10/0 5 Вт, В - 25, f- 50 1

    КТ3102[141 U-20 (А, Б - 50 В Д - 30), I - 100, Р - 250, В - 150 - 200 (Б В д - 200 - 500, Г, Е - 400 - 1000), lo - 0 05, f- 150

    Полевые транзисторы

    Основная характеристика усилительных способностей полевого транзистора - крутизна 5 характеристики стокового тока в миллиамперах на вольт мА/В Крутизна показывает, на сколько миллиампер меняется ток в цепи исток - сток (он аналогичен коллекторному току обычного транзистора) при изменении напряжения между истоком и затвором на один вольт Это напряжение чем-то напоминает управляющий сигнал на базе обычного транзистора, основное различие в том, что в цепи затвора практически нет тока подобно электронной лампе затвор управляет током, не притягивая, а отталкивая заряды, и потому, если на сток (аналог коллектора) подается «плюс», то на затвор (аналог базы) подается «минус», и наоборот, если на сток подается «минус», то на затвор - «плюс» В некоторых типах полевых транзисторов (например, КП-304) на затвор подается отпирающее напряжение, то есть той же полярности, что и на сток

    Ниже приводятся некоторые параметры нескольких полевых транзисторов U - допустимое напряжение между истоком и стоком в вольтах, из,, -допустимое напряжение на затворе относительно истока (аналог эмиттера в вольтах), I - допустимый стоковый ток в мА, lo - стоковый ток в мА (при нулевом напряжении на затворе относительно истока) Р-допустимая мощность, рассеиваемая на стоке в мВт, S - крутизна мА/В

    Внешний вид и таблица выводов полевых транзисторов, данные которых здесь приводятся, показаны на К-6, 20, здесь приняты такие сокращения и - исток, с - сток, з - затвор, к - корпус прибора Транзисторы КП102 выпускались также в корпусе транзистора КТ315 (К-6, 19), при этом вывод «и» занял место базы, вывод «з» - коллектора и вывод «с» - место вывода эмиттера

    Транзисторы КП306 и КП350 имеют по два управляющих электрода, по два затвора (подобно гептоду, электронной лампе, имеющей две управляющих сетки, Р-91), которые в таблицах и на рисунках помечены индексами 1 и 2

    Чтобы защитить полевой транзистор от статического электричества, которое даже в небольших количествах опасно для прибора (полевой транзистор, например, может выйти из строя, если случайно коснуться его выводов слегка наэлектризовавшимся рукавом рубашки), выводы на время монтажа закорачивают, обматывают тонкой медной проволокой без изоляции (К-18)

    Полевые транзисторы с каналом р-т и п а (на стоке «минус», а на затворе «плюс» относительно истока) КП102: U-15, 1о - 0,2-1 (И - 0,7-1,8 К-1 3-3, Л-2,4-6), UA- 10, 5-0,2- 1 (К, Л, М- 1 -4,4). КП103: U- 10, Р - 120, lo - 0 3 - 4 (Л М -2,7-12 К-1 - 5), 5 -0,4 -3 (К-1-3, Л М- 1,2-4,4) КП301: U - 20, изи - 30, I - 15, Р - 200, S-1 КП304: U -25, Цзи - 30, I - 30, Р -200, S -4

  • Полевые транзисторы с каналом л-т и п а (на стоке «плюс», а на затворе «минус» относительно истока)

  • КП302 U - 20, изи - 10, I - 24 (Б, В - 43), Р - 300, 5 - 5 - 7 КПЗОЗ U - 25, 1)зи - 30, I - 20, Р - 200, S - 1 - 4 (В, Д, И - 2 - 6) КП305 U- 15, изи - 15, 1 - 15, Р- 150, 5 - 4 - 10 КП306 U - 20, 1)зи - 25, I - 20, Р -150, 5 - 3 - 8 КП350 U- 15, 1)зи - 15, I - 30, Р 150.5-2-10

     

     

     

     

    (В главное меню) 

    Используются технологии uCoz